英飞凌推出带有集成温度传感器的全新 CoolMOS S7T

英飞凌（Infineon）是一家全球领先的半导体解决方案提供商，近日宣布推出一款全新的 CoolMOS S7T，该产品集成了一个TPS560200DBVR温度传感器，为电力电子设备的设计和性能提供了更高的精确度和可靠性。

CoolMOS S7T 是英飞凌 CoolMOS 7 系列的一部分，是一款高压功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。CoolMOS S7T 的集成温度传感器可以实时监测芯片的温度，从而实现更精确的温度控制和保护。

CoolMOS S7T是各种电子设备的基本配置，如果能够将传感器和超结 MOSFET集成到同一封装中，客户便可以获得多方面的好处。英飞凌的创新方案提高了继电器的性能，使继电器即使在过载条件下也能可靠运行。与位于漏极的标准独立板载传感器相比，集成温度传感器的精度提高了多达40%，响应时间加快了10倍，而且由于可在多设备系统内单独执行监测流程，因此具有更高的可靠性。

CoolMOS S7T能够优化功率晶体管的使用，进而提高输出级的性能并实现精准的控制。其总功率耗散的降幅高达机电继电器的两倍，效率比目前的固态三端双向可控硅解决方案高出5倍以上。效率的提升以及应对更高负载的能力有助于降低功耗和能源成本。

CoolMOS S7T 的温度传感器采用了英飞凌独特的 Smart Trench Technology（智能沟槽技术），这种技术可以在 MOSFET 结构中集成温度感应器。传感器可以准确测量芯片的温度，并通过内置的模拟-数字转换器将温度转化为数字信号。这些数字信号可以通过芯片的控制器进行处理和分析，以实现温度的监测和保护。

CoolMOS S7T 的集成温度传感器具有多个优势。首先，由于传感器直接集成在芯片中，因此不需要额外的外部传感器，从而节省了空间和成本。其次，传感器可以实时监测芯片的温度，从而实现更精确的温度控制和保护。此外，传感器采用了智能沟槽技术，使得温度测量更加准确和可靠。

CoolMOS S7T 还具有其他先进的特性和性能。它采用了英飞凌的 Superjunction 技术，可以实现低导通电阻和低开关损耗，从而提高功率转换效率。此外，CoolMOS S7T 还具有低噪声和低电磁干扰的特性，适用于对电磁干扰要求较高的应用场景。

CoolMOS S7T 已经通过了严格的质量和可靠性测试，并且符合国际标准和规范。它适用于各种电力电子设备，例如电源适配器、工业电机驱动器、太阳能逆变器等。

总的来说，英飞凌推出的 CoolMOS S7T 是一款集成了温度传感器的高压功率 MOSFET 产品，通过实时监测芯片温度，提供了更高的精确度和可靠性。它具有先进的特性和性能，适用于各种电力电子设备的设计和应用。